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Optische Eigenschaften von Aluminium-Galliumnitrid-Halbleitern

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Pages: 224

Language: German

Format: Eine elektronische Version eines gedruckten Buches - Unterstützte Lesegerätegruppen: PC/MAC/eReader/Tablet

Publisher: Südwestdeutscher Verlag für Hochschulschriften (20 Oct. 2011)

By: Marcus Röppischer(Author)

In dieser Arbeit wurden grundlegende optische Eigenschaften von AlN, GaN und ihren Mischkristallen vorgestellt und interpretiert. Spektrale Ellipsometrie in einem ausgedehnten Spektralbereich vom nahen Infraroten (NIR) bis ins Vakuumultraviolette (VUV) war dabei die Hauptuntersuchungsmethode. Erstmalig war es mö:glich eine geschlossene dielektrische Funktion (DF) von kubischem Zinkblende (zb) und hexagonalem Wurtzit (wz) GaN (AlN) im Spektralbereich zwischen 0.6 eV und 20 eV zu bestimmen und anschließ:end mit einem geeigneten Schichtmodell zu analysieren. Bei der Modellierung wurden sowohl Oberflä:chenrauhigkeiten als auch etwaige Pufferschichten berü:cksichtigt. Infolgedessen war eine Separation der DF der zu untersuchenden Schicht im gesamten Bereich mö:glich. Anschließ:end erfolgt die ausfü:hrliche Interpretation aller ermittelten Absorptionsstrukturen in den DF. Durch den Vergleich mit zuvor berechneten Bandstrukturen konnten den einzelnen Banden Ü:bergä:nge an Punkten hoher Symmetrie in der Brillouin Zone (BZ) zugeordnet werden. Im Zuge dieser Analyse wurden Unterschiede und Gemeinsamkeiten zwischen GaN und AlN herausgearbeitet und deren Entwicklung im AlGaN-Mischsystem verfolgt.

Originalfassung in deutscher Sprache von als PDF zum kostenlosen Download findet


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